氧化鋯晶體基片-優(yōu)質(zhì)材料 合肥合瑞達(dá)高品質(zhì)

氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實(shí)際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機(jī)械、化學(xué)穩(wěn)定性好，價(jià)格較低因而得以廣泛應(yīng)用。氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見(jiàn)濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。

氧化鋯(YSZ)晶體

產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點(diǎn): 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長(zhǎng)方法：弧熔法。

氧化鋯(YSZ)單晶是目前發(fā)現(xiàn)的抗輻照能力zui強(qiáng)的絕緣體材料，在輕水堆中可用作“燃燒”多余钚的惰性基材以及儲(chǔ)存核廢物的基體而倍受關(guān)注。由于氧化鋯(YSZ)材料具有高硬度，高強(qiáng)度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。

在高溫下 ，氧化鋯屬于立方螢石型結(jié)構(gòu)，因?yàn)閆r4 直徑大于O2-離子直徑，所以可以認(rèn)為，由Zr4 構(gòu)成面心立方點(diǎn)陣，占據(jù)1/2的八面體空隙，O2-離子占據(jù)面心立方點(diǎn)陣所有四個(gè)四面體空隙。氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實(shí)際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機(jī)械、化學(xué)穩(wěn)定性好，價(jià)格較低因而得以廣泛應(yīng)用。