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制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化1鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化1鎘光敏電阻對可見光敏感,用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測器。感光面積大的光敏電阻,可以獲得較大的明暗電阻差。擴散過程中，一部分電子和空穴復合消失,大部分擴散到PN結邊緣。如國產625-A型硫化1鎘光敏電阻,其光照電阻小于50千歐,暗電阻大于50兆歐。2、光電二極管光電二極管的管芯也是一個PN結,只是結面積比普通二極管大,便于接收光線。

但和普通二極管不同,光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小，只有0-1微安左右。在光線照射下產生的電子----空穴對叫光生載流子，它們參加導電會增大反向飽和電流。[4]太陽能電池材料選取光照射在物質上時，部份的光會被物質吸收，部份的光則經由反射或穿透等方式離開物質，選取太陽光電池材料的第1考量就是吸光效果要很好，如此才能使輸出功率增加。光生載流子的數量與光強度有關，因此，反向飽和電流會隨著光強的變化而變化，從而可以把光信號的變化轉為電流及電壓的變化。光電二極管主要用于近紅外探測器及光電轉換的自動控制儀器中，還可以作為光導纖維通信的接1收器件。

光電控制器件----用作光電開關等光電控制設備的轉換器件。三、半導體發光器件半導體發光器件是一種將電能轉換成光能的器件。它包括發光二極管、紅外光源、半導體發光數字管等。1、發光二極管發光二極管的管芯也是一個PN結,并具有單向導電性。制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化1鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。PN結加上正向電壓時,電子由N區渡越(擴散)到空間電荷區與空穴復合而釋放出能量。這些能量大部分以發光的形式出現，因此，可以直接將電能轉換成光能。

如果入射光強度太高，導致器件內電流太大，以至于電陰極和倍增極因發射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此，使用光電倍增管時，應避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件，可作為能源器件使用，如衛1星上使用的太陽能電池。PN結加上正向電壓時,電子由N區渡越(擴散)到空間電荷區與空穴復合而釋放出能量。它也可作為光電子探測器件。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結區附近成為耗盡層，該層的兩側是相對高的空間電荷區，而耗盡層內通常情況下并不存在電子和空穴。