NR9 1500P光刻膠價格廠家報價 北京賽米萊德

光刻膠的參數

賽米萊德專業生產、銷售光刻膠，我們為您分析該產品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名：resolution。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

對比度

對比度（Contrast）指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度（Sensitivity）光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的能量值（或曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。

粘滯性黏度

粘滯性/黏度（Viscosity）是衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。

粘附性

粘附性（Adherence）表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝（刻蝕、離子注入等）。

抗蝕性

抗蝕性（Anti-etching）光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

表面張力

液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力（Surface Tension），使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。

光刻膠分類介紹

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根據化學反應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經曝光后形成不可溶物質的是負性膠;反之，對某些溶劑不可溶，經曝光后變成可溶的為正性膠。  從需求端來看，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。

光刻膠產品種類多、專用性強，是典型的技術密集型行業。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊，要求使用不同品質等級的光刻膠專用化學品。

光刻膠市場情況  

目前全球光刻膠市場基本被日本和美國企業所壟斷。光刻膠屬于高技術壁壘材料，生產工藝復雜，純度要求高，需要長期的技術積累。日本的JSR、東京應化、信越化學及富士電子四家企業占據了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。

光刻膠市場需求逐年增加，2018年全球半導體光刻膠銷售額12.97億美元。隨著下游應用功率半導體、傳感器、存儲器等需求擴大，未來光刻膠市場將持續擴大。

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如何選擇光刻膠

光刻膠必須滿足幾個硬性指標要求：高靈敏度，高對比度，好的蝕刻阻抗性，高分辨力，易于處理，高純度，長壽命周期，低溶解度，低成本和比較高的玻璃化轉換溫度（Tg）。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。大多數光刻膠是無定向的聚合體。當溫度高于玻璃化轉換溫度，聚合體中相當多的鏈條片以分子運動形式出現，因此呈粘性流動。當溫度低于玻璃化轉換溫度，鏈條片段的分子運動停止，聚合體表現為玻璃而不是橡膠。當Tg低于室溫，膠視為橡膠。當Tg高于室溫，膠被視為玻璃。由于溫度高于Tg時，聚合體流動容易，于是加熱膠至它的玻璃轉化溫度一段時間進行退火處理，可達到更穩定的能量狀態。在橡膠狀態，溶劑可以容易從聚合體中去除，如軟烘培膠工藝。但此時膠的工作環境需要格外關注，當軟化膠溫度大于Tg時，它容易除去溶劑，但也容易混入各種雜質。一般來說，結晶的聚合體不會用來作為膠，因為結晶片的構成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。

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