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憑借較小的導通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優勢，因為后者具有更高的擊穿電壓及其他特性，包括：臨界電場擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時漂移層更薄，大幅減小導通電阻。導熱率更高，因而在橫截面上可以實現更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

檢測電阻值的額定功率必須相對較大

一般而言，開始時選用在電流下使其兩端電壓降約為 100 mV 的電阻值。經數學計算可知，檢測電阻值僅為毫歐級，與其他電路功能中常用的數千歐甚至更大的阻值形成鮮明對比。確定電阻值后，設計人員就必須選擇特定的物理元器件。鑒于電流值的大小，相較于大多數其他電阻器，檢測電阻器的額定功率必須相對較大。此外，不只是室溫下可提供高精度，而必須采用相應的材料和制造技術以確保較小的電阻溫度系數 (TCR)。TCR 較小時，即使環境溫度升高或因自熱引起的溫度升高，阻值也不會明顯變化。

同一直流母線段出現同時兩點接地時,應立即采取措施消除

同一直流母線段出現同時兩點接地時，應立即采取措施消除，避免由于直流同一母線兩點接地，造成繼電保護或開關誤動故障。當出現直流系統一點接地時，應及時消除。在無法快速判別接地故障點時，應采用便攜式絕緣檢測設備進行探查。拉路查找應遵循“先次要后重要，先戶外后戶內”的原則進行，一般按照事故照明、輔助設施、信號回路、保護及控制回路、整流裝置和蓄電池回路，對于PT并列裝置等重要工作電源嚴禁拉路。

可編程直流電源采用嵌入式供電方式

因電源在開關柜內，可減少電纜的使用量，節約一次設備投資及電纜施工工作量;在總臺數不多時，其總價低于直流屏系統，可降低工程總造價；同時在運行時可減少線損，減少備件，節約運行成本。可編程直流電源采用嵌入式供電方式，可靠性極大。當某一回路發生故障時，其它回路的電源裝置不受影響，避免出現一點故障全站無操作電源，與集中供電的直流屏相比，其總體可靠性得以極大提高。