山西轟擊離子束刻蝕機品牌服務放心可靠,北京創世威納

離子屬刻蝕機的注意事項

創世威納——專業離子束刻蝕機供應商，我們為您帶來以下信息。

#.在設備工作時,禁止扶、靠設備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發生意外

#.高頻電源實際使用功率不能超過較大限制#.檢查設備時，必須關機后切斷電源

#. 工作場地必須保持清潔、干燥，設備上及設備周圍不得放置無關物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長期停放時注意防潮，拆除電源進線，每隔3-5天開一次機，保證反應室真空以免被污 染

#.設備停機、過夜也要保持反應室真空，如停機較長時間后再進行刻蝕工藝，需先進行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

刻蝕技術

由于曝光束不同，刻蝕技術可以分為光刻蝕（簡稱光刻）、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕，其中離子束刻蝕具有分辨率高和感光速度快的優點，是正在開發中的新型技術。

北京創世威納以誠信為首 ,服務至上為宗旨。公司生產、銷售離子束刻蝕機,公司擁有強大的銷售團隊和經營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！

刻蝕工藝過程

以下內容由創世威納為您提供，今天我們來分享刻蝕工藝過程的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助！

等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學反應的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達表面后， 四處移動； 反應： 與硅片表面的膜發生反應； 解吸： 反應的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應腔。

離子束刻蝕機

離子束分析具有一定能量的離子與物質相互作用會使其發射電子、光子、X射線等，還可能發生彈性散射、非彈性散射以及核反應，產生反彈離子、反沖核、γ射線、氫核、氚核、粒子等核反應產物，可以提供有關該物質的組分、結構和狀態等信息。利用這些信息來分析樣品統稱離子束分析。在離子束分析方法中，比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應分析和溝道效應（見溝道效應和阻塞效應）與其他分析相結合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級離子質譜(SZMS)等。超靈敏質譜（質譜）、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激發俄歇電子譜等正在發展中。用于離子束分析的MV級已有專門的商業化設備。