半導體光纖放大器價格服務至上

    光纖放大器 類別介紹 

KG-EDFA-HP型高功率摻鉺光纖放大器 

KG-EDFA-HP型高功率摻鉺光纖放大器內部采用了性能較高的泵浦激光器，雙包層Yb3 和Er3 共摻雙包層光纖，獨有的“側面泵浦保護”技術，以及獨特的控制保護電路，實現了低噪聲、超高功率輸出。前面板提供電源開關，LCD功率顯示，輸出功率調解旋鈕，同時提供了RS232接口，廣泛應用于非線性光學、光纖傳感和光纖通信等領域。隨著新材料、新技術的不斷突破，光纖放大器在1292~1660nm波長范圍內獲得帶寬為300nm超寬帶將不是夢想，Tbit/sDWDM光網絡傳輸系統將一定會實現。

不同類型光纖放大器介紹

EDFA的結構

泵浦光由半導體激光器(LD)提供，與被放大信號光一起通過光耦合器或波分復用耦合器注入摻餌光纖(EDF)。光隔離器用于隔離反饋光信號，提高穩定性。Er3 離子處于亞穩態時，除了發生受激輻射和受激吸收以外，還要產生自發輻射(ASE)，它造成EDFA的噪聲。光濾波器用于濾除放大過程中產生的噪聲。為了提高EDFA的輸出功率，泵浦激光亦可從EDF的末端(放大器輸出端)注入，或輸入輸出端同時注入，

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光放大器的原理

摻鉺光纖放大器（Erbium-doped Optical Fiber Amplifier，EDFA）的組成基本上包括了摻鉺光纖，泵浦激光器，光合路器幾個部分。基于不同的用途，摻鉺光纖放大器已經發展出多種不同的結構。

EDFA的放大原理與雷射產生原理類似，光纖中參雜的稀土族元素Er(3 )其亞穩態（meta-stable state）和基態（ground state）的能量差相當于1550nm光子的能量、

當吸收適當波長的泵浦光能量（980nm或1480nm）后，電子會從基態躍遷到能階較高的激發態（exciting state），接著釋放少量能量轉移到較穩定的亞穩態、在泵浦光源足夠時鉺離子的電子會發生居量反轉（population reverse），即高能階的亞穩態比能階低的基態電子數量多、當適當的光信號通過時，亞穩態電子會發生受激輻射效應，放出大量同波長光子、但因為存在振動能階，所以波長不是單一而是一個范圍，典型值為1530~1570nm、

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