山西ZnO晶體基片價格-專業定制

氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

氧化鋅（ZnO）單晶已被應用于表面聲波(SAW)器件、氣敏元件、壓電元件、透明導 電體、壓敏電阻等眾多方面。作為氧化鋅單晶的培養方法，已知有利用水熱合成法的培養方法。水熱合成法是 在高溫高壓的原料水溶液中培養晶體的方法，是利用由溫差引起的過飽和度使晶體在晶種 上析出的方法。氧化鋅（ZnO）晶體有三種結構∶六邊纖鋅礦結構、立方閃鋅礦結構,以及比較罕見的氯化鈉式八面體結構。

目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。基于氧化鋅（ZnO）的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅（ZnO）材料的新的研究熱潮.氧化鋅（ZnO）以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料,因此對氧化鋅（ZnO）單晶的研究有重要的理論和實踐意義。