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光刻膠簡介

賽米萊德——專業光刻膠供應商，我們為您帶來以下信息。

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業的，以后才用于電子工業。 [1]  光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

光刻膠的概述　　

光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。

光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經過曝光后，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影后，留下光照部分形成圖形。

負膠在光刻工藝上應用早，其工藝成本低、產量高，但由于它吸收顯影液后會膨脹，導致其分辨率（即光刻工藝中所能形成圖形）不如正膠，因此對于亞微米甚至更小尺寸的加工技術，主要使用正膠作為光刻膠。

如何選購光刻膠？

光刻加工工藝中為了圖形轉移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的，但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮，需要對光刻膠進行合理的選擇。

劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區域將溶解，而曝光的區域被保留。正性膠的分辨力往往是的，因此在IC制造中的應用更為普及，但MEMS系統中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。

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