廣東實驗多晶硅回收的行業須知

    硅是一種關鍵的非金屬材料單質，它的主要用途十分普遍。P-N結太陽能電池包含一個形成于表面的淺P-N結、一個條狀及指狀的正面歐姆接觸、一個涵蓋整個背部表面的背面歐姆接觸以及一層在正面的抗反射層。做為優良的半導體器件，硅可用來制造集成電路芯片、三極管、硅整流器等集成電路工藝。除此之外，硅的鋁合金主要用途也很廣， 如含硅4％（質量分數）的鋼具備優良的導帶磁，可用來制造變壓器線圈；含硅15％（質量分數）上下的鋼具備優良的耐堿性，可用來制造耐酸性機器設備等。 即便在光照較差的地域，若應用多晶硅部件那樣的名優產品，也一樣能確保高發電能力，為客戶產生巨額盈利。

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    抵御平穩——淬火（ Class 1k） 

    硅片在 CZ 爐內高濃的氧氣氛里生長發育。根據電工手冊總結的大功率功率與導線截面積的關系表，用戶可根據自家電表進線粗細，或者并網導線的粗細進行選擇判斷。 由于絕大多數的氧是可塑性的， 殊不知仍有數的氧會形 成小基團。這種基團會飾演 n-施主的人物角色，就會使硅片的電阻檢測有誤。要避免這一問 題的產生， 硅片務必加溫到 650℃上下。 這一高的溫度會使氧產生大的基團而不容易危害電 阻率。隨后對硅片開展激冷，以阻攔小的氧基團的產生。這一全過程能夠 合理的清除氧做為 n- 施主的特點，并使真實的電阻趨于穩定。 

    背封（ Class 10k） 

    針對重摻的硅片而言，會歷經一個高溫環節，在硅片反面淀積一層塑料薄膜，能阻攔摻雜劑的向 擴散。2011年11月，美方對中國產光伏電池啟動“雙反”調查，并于2012年12月決定征收29。這一層就好似密封劑一樣避免摻雜劑的肇事逃逸。一般有三種塑料薄膜被用于做為背封原材料： 二氧化硅（ SiO2）、氮化硅（ Si3N4）、光伏電池。假如金屬氧化物或氮化合物用于背封，能夠 嚴苛地認 為是一密封劑，而假如選用光伏電池，除開關鍵做為密封劑外，還具有了外界吸雜功效。 圖 1.3 舉例子了加熱清理、抵御平穩和背封的流程。

工藝實現

為實現利用濕法刻蝕在硅片加工出刻，硅腐蝕。V 形槽條紋這一目標，需要三步工藝：氧化，光圖 1 硅單晶晶體結構。

在本文中用（ 100）雙面拋光硅片來敘述，圖 2 中 V 型槽的兩個斜面為 (111)晶面，底面為(100)晶面。硅元素原子的最外電子層的電子數目與碳元素原子的最外電子層中的電子數目相同，都有4個電子，所以，硅的許多化學性質跟碳相似。由晶體結構計算斜面（ 111）與地面（ 100）夾角 54.736°。當腐蝕的時候，從（ 100）硅片上沿著（ 110）方向腐蝕時掉需要腐蝕的硅原子，從而暴露出傾角為 54.736°的（ 111）面，雙面進行就會形成 V 型槽結構。由于硅片的腐蝕存在備向異性，硅 (111)晶面的腐蝕速度遠小于 (100)面的。因此，只要選擇適當的腐蝕溫度和時間，就能得到如圖 2 所示的硅片 V 型槽。將硅單晶體按（ 100）方向切成所需大小的硅片。

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