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不同PEDOT核殼分散體的制備總結

聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）由于其高導電性、低能隙、優異的薄膜透明性以及環境穩定性在抗靜電涂層、光電子器件、電容器、電磁屏蔽、傳感器、金屬防腐等領域具有廣闊的應用前景，然而其不溶問題限制了其應用。均質處理后，樣品溫度會略微升高，此時在試管中的流動狀態仍為液體。除了在單體水相聚合時加入聚by烯磺酸（PSS）制備PEDOT分散體外，許多研究者也開始探索其他方法，如制備PEDOT與其他物質的核殼分散體。本文將對主要幾種PEDOT核殼分散體的制備進行總結。

考慮PEDOT:PSS材料本身的特性和硅表面結構光學管理后，硅與背金屬電極界面的接觸情況成為了制約電池效率提升的主要因素，硅/金屬的直接接觸會導致界面處形成肖特基勢壘，對電子傳輸的阻礙作用極大，同時界面處嚴重的復合造成了載流子的損失。另一方面也使其具有壽命長、小型化、可靠度高、易于實現片式化等優點。基于此，選用氧化鋅作為電子選擇性材料，將其用于界面處形成金屬-介質-半導體結構，并對氧化鋅進行Li摻雜調節其功函數進一步減小或消除界面勢壘。另外，對硅表面通過本征非晶硅層鈍化，這樣既能鈍化硅又能改善電接觸。并結合硅金字塔陷光結構，終實現超過15%的電池轉換效率。

PEDOT：PSS廣泛用于鈣鈦礦太陽能電池（PSC），是的空穴傳輸層（HTL）。然而，與傳統的平面PSC（壓區）相比，基于PEDOT：PSS HTL的反向平面PSC通常表現出高達200 mV的電壓損耗。

SEM，AFM和XPS測量表明，CsI通過與PbI2反應形成CsPbI3來改變PEDOT：PSS和鈣鈦礦之間的界面，從而促進界面接觸和電荷傳輸。

在CsI-修飾（CsI-PEDOT：PSS）之后，PEDOT：PSS的空穴傳輸性質和空穴提取得到增強，而能級更有利并且電荷復合得到抑制。

 與原始PEDOT：PSS相比，它遭受大的非輻射復合損耗（0.375 V），CsI-PEDOT：PSS使器件實現了令人印象深刻的低非輻射電壓損耗（僅0.287 V）。

使用CsI-PEDOT：PSS的反向PSC顯示出小的電壓損失并實現高VOC（1.084 V），的功率轉換效率（PCE）為20.22％，并且沒有滯后現象，而沒有CsI的參考組顯示效率僅為16.57％。