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發布時間：2020-10-20 15:10
光刻膠
① 工藝角度普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。② 曝光系統伴隨著新一代曝光技術（NGL）的研究與發展，為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時，光刻膠也相應發展。先進曝光技術對光刻膠的性能要求也越來越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，實現工業化生產。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進行改善。
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光刻膠定義
光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。因為光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。當紫外光或電子束的照射時，光刻膠材料本身的特性會發生改變，經過顯影液顯影后，曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上，而后續的刻蝕、沉積等工藝，就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上，然后再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。
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光刻膠的主要技術參數
1．靈敏度（Sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2．分辨率（resolution）
區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：
(1) 曝光系統的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。
光刻膠的組成
光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分，構成光刻膠的基本骨架，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。
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