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發布時間:2021-03-04 11:27  





模擬開關分類介紹
由于采用了MOS管的開斷性能,模擬開關回路可以實現較高的關斷阻抗,一般是兆歐姆以上的關斷阻抗;和很低的導通阻抗,一般為幾個歐姆級別,因此可以很好的實現信號鏈路切換和斷開隔離的作用。根據應用需求不同;模擬開關可以分為音頻模擬開關、視頻模擬開關、數字開關、通用模擬開關等。
特殊模擬開關
高頻T型開關T 型開關適用于視頻及其它頻率高于10MHz的應用,如圖4 所示,它由兩個模擬開關(S1、S3)串聯組成,另一開關S2 接在地和S1、S3的交點之間,這種結構的開關其關斷隔離高于單個開關,由于寄生電容與每個串聯開關并聯,斷開狀態的T 型開關其容性串擾隨頻率的提高而增大。因此,影響開關高頻特性的關鍵在于開關的斷開狀態而不是接通狀態 [2] 。當T 型開關導通時,S1 和S3 閉合,S2 斷開;當開關斷開時,S1、S2 斷開,S3 閉合,此時,那些要通過串聯MOSFET 的寄生電容耦合到輸出端的輸入信號被S3 旁路,斷開狀態下的10MHz 視頻T 型開關(MAX4545)的關斷隔離達-80dB,而標準模擬開關(MAX312)的關斷隔離度只有-36dB。
如何選擇模擬開關
選擇開關時需考察以下指標:
通道數量 集成模擬開關通常包括多個通道。通道數量對傳輸信號的精度和開關切換速率有直接的影響,通道數越多,寄生電容和泄漏電流就越大。因為當選通一路時,其它阻斷的通道并不是完全斷開,而是處于高阻狀態,會對導通通道產生泄漏電流,通道越多,漏電流越大,通道之間的干擾也越強。
模擬開關選擇注意事項
泄漏電流
一個理想的開關要求導通時電阻為零,斷開時電阻趨于無限大,漏電流為零。而實際開關斷開時為高阻狀態,漏電流不為零,常規的CMOS漏電流約1nA。如果信號源內阻很高,傳輸信號是電流量,就特別需要考慮模擬開關的泄漏電流,一般希望泄漏電流越小越好。
導通電阻
導通電阻的平坦度與導通電阻一致性 導通電阻會損失信號,使精度降低,尤其是當開關串聯的負載為低阻抗時損失更大。應用中應根據實際情況選擇導通電阻足夠低的開關。必須注意,導通電阻的值與電源電壓有直接關系,通常電源電壓越大,導通電阻就越小,而且導通電阻和泄漏電流是矛盾的。要求導通電阻小,則應擴大溝道,結果會使泄漏電流增大。導通電阻隨輸入電壓的變化會產生波動,導通電阻平坦度是指在限定的輸入電壓范圍內,導通電阻的起伏值△RON=△RONMAX—△RONMIN。它表明導通電阻的平坦程度,△RON應該越小越好。導通電阻一致性代表各通道導通電阻的差值,導通電阻的一致性越好,系統在采集各路信號時由開關引起的誤差也就越小。