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發布時間:2020-10-18 19:02  





磁控方箱生產線介紹
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?! ?
主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成?!?
技術指標: 極限真空度6.7×10-5Pa,系統漏率:1×10-7PaL/S; 恢復真空時間:40分鐘可達6.6×10 Pa(短時間暴露 大氣并充干燥氮氣后開始抽氣)
鍍膜方式:磁控靶為直靶,向下濺射成膜; 樣品基片: 負偏壓 -200V
樣品轉盤:在基片傳輸線上連續可調可控,在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動,計算機控制其水平傳遞;
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統,計算機控制系統的功能:對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集,對位移誤差進行計算,以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換,可實現換位定點鍍膜。
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雙靶磁控濺射鍍膜機的特點有哪些?
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產品特點
1:此款鍍膜儀配置有兩個靶槍:一個靶槍配套的是射頻電源,用于非導電靶材的濺射鍍膜;一個靶槍配套的是直流電源,用于導電材料的濺射鍍膜
2:該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜,應用非常廣泛。
3:該鍍膜儀體積較小,且配備有觸摸屏控制面板,操作方便。