等離子化學氣相沉積設備報價信賴推薦「多圖」

化學氣相沉積產品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。

2、產品優點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

PCVD與傳統CVD技術的區別

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PCVD與傳統CVD技術的區別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激發能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。

ICP刻蝕機的結構

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ICP設備主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分。

（1）預真空室預真空室的作用是確保刻蝕腔內維持在設定的真空度，不受外界環境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構、隔離門等組成。

（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結構，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響?？涛g腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。

（3）供氣系統供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質量流量控制器（MFC）準確的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統、混合單元等組成。

（4）真空系統真空系統有兩套，分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片?？涛g腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統排空。