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脈沖激光沉積

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時，靶表面的一切元素會快速受熱，到達蒸發(fā)溫度。物質會從靶中分離出來，而蒸發(fā)出來的物質的成分與靶的化學計量相同。物質的瞬時熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。沈陽鵬程真空技術有限責任公司本著多年脈沖激光沉積行業(yè)經驗，專注脈沖激光沉積研發(fā)定制與生產，先進的脈沖激光沉積生產設備和技術，建立了嚴格的產品生產體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話。熔化機制涉及許多復雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學。

在第二階段，根據氣體動力學定律，發(fā)射出來的物質有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象。空間厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個因素，支配熔化物質的角度范圍。PioneerPLD系統(tǒng)的激光束入射角為45°，保持了激光密度在靶材上的均勻性，同時避免使用復雜而昂貴的光學部件。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質量的關鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個碰撞區(qū)。膜在這個熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個區(qū)域正好成為凝結粒子的較佳場所。另外，PLD是一種“數(shù)字”技術，在納米尺度上進行工藝控制（A°/pulse）。只要凝結率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術。Neocera 開發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD 在沉積復雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD 能力結合在一起。

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