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              發布時間:2020-07-31 08:51  






              脈沖激光沉積(PLD)簡介

              隨著新型氧化物/氮化物的研究和發展,用于沉積它們的外延生長設備:脈沖激光沉積(PLD)和由其衍生的生長技術也越來越受到科研工作者的重視和青睞。PLD是近年來發展起來的一種真空物理沉積工藝,具有襯底溫度較低,而且采用光學系統、非接觸加熱和避免不必要的玷污等特點。PLD還有一個很大的優點,即能夠通入較高的氧分壓(1 ~ 50 mTorr),特別適于氧化物的生長。但是PLD方法無法準確控制膜厚,不可能制備原子層尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。

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              脈沖激光沉積 (Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積,利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離,使其能夠脫離靶材而向基底運動,進而在基底上沉積,從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中,脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛,可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質薄膜,甚至還用來制備一些難以合成的材料膜,如金剛石、立方氮化物膜等。


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              脈沖激光沉積系統特點及優勢:

              可根據客戶需求定制產品,靈活性高,并提供專業的技術支持;靶臺最多可以安裝6個靶位,靶材更換靈活;樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用;進樣室可以存儲多個靶和樣品;交易過程無需繁瑣的進、出關手續, 交貨期短,性價比高;


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