離子束刻蝕機報價服務放心可靠,創世威納

反應離子刻蝕

反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。但是該刻蝕技術不能獲得較高的選擇比，對表面的損傷大，有污染，難以形成更精細的圖形。

本產品信息有創世威納提供，如果您想了解更多產品信息您可撥打圖片上的電話進行咨詢！

反應離子刻蝕的操作方法

通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體 [3]  。在場的每個循環中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。

離子束刻蝕的入射角

在離子束刻蝕過程中，選擇合適的入射角可以提高刻蝕效率，這只是一個方面。另一個方面是靠合適的入射角度控制刻蝕圖形的輪廓。下圖給出了不同角度的刻蝕結果。

創世威納公司擁有先進的技術，我們都以質量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業務。如果您對離子束刻蝕機產品感興趣，歡迎點擊左右兩側的在線客服，或撥打咨詢電話。

離子束刻蝕

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進行加工的離子銑。國內應用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機通常由屏柵和加速柵組成離子光學系統，其工作臺可以方便地調整傾角，使碲鎘基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉

創世威納擁有先進的技術，我們都以質量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業務。如果您對離子束刻蝕感興趣，歡迎點擊左右兩側的在線客服，或撥打咨詢電話。