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發布時間:2020-07-24 07:17  






離子束刻蝕
離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達到刻蝕目的的技術,其分辨率限制于粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm,離子束刻蝕的結構較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下,較以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕,故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入,甚至無顯影刻蝕,直接制造各種納米器件結構。但是,在離子束加工過程中,損傷問題比較突出,且離子束加工精度還不容易控制,控制精度也不夠高。
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刻蝕技術
由于曝光束不同,刻蝕技術可以分為光刻蝕(簡稱光刻)、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕,其中離子束刻蝕具有分辨率高和感光速度快的優點,是正在開發中的新型技術。
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離子束刻蝕機
離子束技術的應用涉及物理、化學、生物、材料和信息等許多學科的交叉領域。離子束加工在許多精密、關鍵、高附加值的加工模具
等機械零件的生產中得到了廣泛應用。一些國家用于軍事裝備的建設上,如改善蝸輪機主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機閥門和活塞的性能。離子注入半導體摻雜已成為超大規模集成電路微細加工的關鍵工藝,導致出現了80年代集成電路產業的騰飛。
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