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發布時間:2020-07-17 06:56  






氣壓燒結法(GPS)獲得很大的進展
氣壓燒結法( GPS)
近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究,獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結,在添加較少燒結助劑情況下,也足以促進Si3N4晶粒生長,而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性,可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品,從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝,適用于大規模生產。氮化硅制品在窯爐中用過以后,也會出現氧化現象,有些氮化硅磚氧化以后會和碳化硅磚一樣,氮化硅氧化變成碳化硅,呈現黑色的碳化硅顆粒,如果氧化的嚴重的情況下,氮化硅的體積會出現疏松,碳化硅含量下降,體積密度降低,耐壓強度也會大大降低。

長期回收氮化硅磚廠家
廢氣焚燒爐中的廢氣中含有害物質,而且在高溫下氧化分解對內襯破壞性強。選耐火磚時實際使用溫度才是耐火磚選材的主要依據。提高焚燒溫度,有利于廢氣中有害成分的分解。但是,過高的焚燒溫度不僅會對爐襯材料的選擇和工藝厚度提出更高的要求,還會增加焚燒產物中氧化氮的組分含量上升,造成二次污染。普通輕質隔熱耐火磚消費的材質有粘土質、高鋁質高強漂珠磚,低鐵莫來石、高鋁聚輕隔熱耐火磚,硅藻土隔熱耐火磚。但是,過高的焚燒溫度不僅會對爐襯材料的選擇和工藝厚度提出更高的要求,還會增加焚燒產物中氧化氮的組分含量上升,造成二次污染。長期回收氮化硅磚廠家
熱壓燒結的氮化硅加熱到l000°C后投入冷水中也不會
氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119,有α和β兩種晶體結構,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高,故其耐熱沖擊性較好。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下,Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性,但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損,使其強度降低,在1450℃以上更易出現疲勞損壞,所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。由于Si3N4 的理論密度低,比鋼和工程超耐熱合金鋼輕得多,所以,在那些要求材料具有高強度、耐高溫等性質的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金鋼是再合適不過了。 它是用硅粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形狀,在氮氣中及1200℃的高溫下進行初步氮化,使其中一部分硅粉與氮反應生成氮化硅,這時整個坯體已經具有一定的強度。然后在1350℃~1450℃的高溫爐中進行二次氮化,反應成氮化硅。用熱壓燒結法可制得達到理論密度99%的氮化硅。Si3N4陶瓷材料作為一種優異的高溫工程材料,能發揮優勢的是其在高溫領域中的應用。

耐火材料一般分為兩種,即不定型
耐火材料一般分為兩種,即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫澆注料,是由多種骨料或集料和一種或多種粘和劑組成的混合粉狀顆料,使用時需要和一種或多種液體配合攪拌均勻,具有較強的流動性。定型耐火材料一般指耐火磚,其形狀有標準規則,也可以根據需要筑切時臨時加工。 反應燒結法( RS) 是采用一般成型法,先將硅粉壓制成所需形狀的生坯,放入氮化爐經預氮化(部分氮化)燒結處理,預氮化后的生坯已具有一定的強度,可以進行各種機械加工(如車、刨、銑、鉆).。然后,在硅熔點的溫度以上;將生坯再一次進行完全氮化燒結,得到尺寸變化很小的產品(即生坯燒結后,收縮率很小,線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。 常壓燒結法( PLS) 在提高燒結氮氣氛壓力方面,利用Si3N4 分解溫度升高(通常在N2 = 1atm氣壓下,從1800℃開始分解)的性質,在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后,再在1800———2000℃溫度范圍內進壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化,從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。 氣壓燒結法( GPS) 近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究,獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結,在添加較少燒結助劑情況下,也足以促進Si3N4晶粒生長,而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷。但是如果仔細看的情況下,廢舊碳化硅和廢舊氮化硅還是可以區分開的,一般氮化硅制品的顏色是灰白色,體積密度也比碳化硅制品的大。
