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Di——絕緣外徑，m；

ε——絕緣介質相對介電常數，交聯聚乙烯ε=2.5，聚乙烯ε=2.3，聚氯乙烯ε=8.0，F/m；

ε0——真空介電常數，ε0=8.86×10-12，F/m；

7. 計算實例

一條電纜型號YJLW02-64/110-1X630長度為2300m,導體外徑Dc=30mm，絕緣外徑Di=65mm，電纜金屬護套的平均半徑rs=43.85，線芯在20°C時導體電阻率 ρ20=0.017241×10-6Ω·m ，線芯電阻溫度系數α=0.00393℃-1 ，k14k5≈1，電纜間距100mm，真空介電常數ε0=8.86×10-12  F/m，絕緣介質相對介電常數ε=2.5,正常運行時載流量420A。三相品字垂直蛇形布置時除在每個蛇形弧的頂部把電纜固定于支架上外，還應根據電動力核算情況加必要的綁扎帶綁扎。計算該電纜的直流電阻，交流電阻、電鳡、阻抗、電壓降及電容。

計算如下：

1.直流電阻

根據直流電阻公式：

得：

R＇=0.017241×10-6 (1 0.00393(90-20))/(630×10-6)

= 0.3489×10-4（Ω/m）  

該電纜總電阻為R=0.3489×10-4×2300 = 0.08025（Ω）

2.交流電阻

由公式YS=XS4/(192 0.8XS4)，XS4=（8πf/R′×10-7kS）2得：

XS4=(8×3.14×50/0.3489×10-4)×10-14= 12.96

YS=12.96/( 192 0.8×12.96) = 0.064

（3） 在場地條件、地質條件允許的情況下，可采用1:1系數放坡開挖；也可根據排管埋深及地質條件作相應調整，但必須保證放坡開挖時基坑側部土體的穩定及施工的安全。

（4）基坑開挖不應對電纜溝埋深下的地基產生擾動。

（5） 若因為客觀條件限制無法放坡開挖時，應在基坑開挖前及過程中根據相關規程、規范要求，設置基坑的圍護或支護措施。一般情況下，開挖深度小于3m的溝槽可采用橫列板支護；開挖深度不小于3m且不大于5m的溝槽宜采用鋼板樁支護。

（6） 溝槽邊沿1.5m范圍內嚴禁堆放土、設備或材料等，1.5m以外的堆載高度不應大于1m。

設計要點

（1）根據基坑深度、地質情況和周圍環境說明應采取適當的開挖方式。

（2）有地下水時應說明采取必要的處理措施。

施工要點

（1）復核電纜溝（電纜隧道）中心線走向、折向控制點位置及寬度的控制線。

（2）基坑開挖采用機械開挖人工修槽的方法。機械挖土應嚴格控制標高，防止超挖或擾動地基，分層分段開挖，設有支撐的基坑須按施工設計要求及時加撐；槽底設計標高以上200～300mm應用人工修整。

（3）超深開挖部分應采取換填級配良好的砂礫石或鋪石灌漿等適當的處理措施，保證地基承載力及穩定性。

（4）若無法放坡開挖，需采用鋼板樁支護時,鋼板樁的施工方法及布樁型式應滿足相關規程、規范及技術標準的要求，坑底以下入土深度一般與溝槽深度之比不小于0.35。

（5）必要時，應進行深基坑的支護，確定支護樁的深度及橫向支撐的大小及間距，一般支撐的水平間距不大于2.0m。

（6）基坑開挖完成后，應進行釬探驗槽，驗收合格后方可進行下步施工。

（7）開挖過程中應做好溝槽內的排水工作，局部較深處可以考慮采取井點降水。地下水應降至基坑底部1.0-1.5m。

（8）橫向支撐應做好伸縮調節措施，圍檁與鋼板樁應固定可靠。

（9）基坑四周用鋼管、安全網圍護，設安全警示桿，夜間設燈，并安排專人看護。

（10）雨期施工時，應盡量縮短開槽長度，逐段、逐層分期完成，并采用措施防止雨水流入基坑。

（11）冬期施工時，基坑挖至基底時要及時覆蓋，以防基底受凍。

導體屏蔽與絕緣屏蔽應采用超光滑可交聯型半導電材料，并符合CSBTS/TC213-01中表3的規定。

a.導體屏蔽應由半導電包帶和擠出半導電層組成；

擠出半導電層應均勻地包覆在半導電包帶外，并牢固地粘在絕緣層上。在與絕緣層的交界面上應光滑，無明顯絞線凸絞、尖角、顆粒、燒焦或擦傷痕跡。

b.絕緣屏蔽為擠出半導電層。絕緣屏蔽應均勻地包覆在絕緣表面。在絕緣屏蔽的表面以及與絕緣層的交界面上應光滑，無尖角、顆粒、燒焦或擦傷痕跡。 5.4 絕緣

絕緣材料應采用超凈化交聯聚乙烯料，并符合CSBTS/TC213-01中表3的規定。電容由公式C=2πε0ε/ln(Di/Dc)得到單位長度電容：C1=2×3。 絕緣層的標稱厚度應符合CSBTS/TC213-01中表5的規定。 a.絕緣蕞薄點厚度應不小于標稱厚度的90%，tmin≥0.09tn. b.絕緣偏心度不大于8%，即：

?0max

min

max???ttt

tn-絕緣層的標稱厚度；tmax和tmin分別為蕞大、蕞小絕緣厚度。

（注：蕞大絕緣厚度和蕞小絕緣厚度為同一截面上的測量值。導體屏蔽和絕緣屏蔽的厚度應不計入絕緣厚度之內。）

c.絕緣平料含有雜質和電纜絕緣層含有雜質、微孔以及半導電層與絕緣界面突起與微孔的限制應參照CSBTS/TC 213-01的規定。

d.絕緣完成后應進行去氣。 5.5 金屬屏蔽與金屬套

可用銅絲編織帶、銅帶或金屬套屏蔽。 金屬套可選用鉛套、波紋鋁套等。

a. 鉛套用鉛銻銅合金成分應符合JB5268.2的規定，應含0.4%～0.8%的銻和0.02%～0.06%的銅，可采用性能相同或更好的其它鉛合金。

b. 波紋鋁套應參照CSDTS/TC 213-01的規定，所用鋁的純度應不低于99.6%。

c. 鉛套和波紋鋁套的標稱厚度應參照CSBTS/TC213-01表6的規定。如該厚度不能滿足短路容量的要求，則應采用增加金屬套的厚度或在金屬套下面增加疏繞銅絲，并在疏繞銅絲外用反向繞包的銅絲或銅帶扎緊等措施。