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發(fā)布時間:2021-01-07 15:52  

蝕刻曝光就是通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
顯影是在硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形的關(guān)鍵步驟。光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解,將可見的島或者窗口圖形留在硅片表面。常見的顯影方法是旋轉(zhuǎn)、噴霧、浸潤,然后顯影。硅片用去離子水沖洗后甩干。
非曝光區(qū)的光刻膠由于在曝光時并未發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在顯影時也就不會存在這樣的酸堿中和,因此非曝光區(qū)的光刻膠被保留下來。經(jīng)過曝光的正膠是逐漸溶解的,中和反應(yīng)只在光刻膠的表面進行,因此正膠受顯影液的影響相對比較小。進行顯影的方式有很多種,廣泛使用的方法是噴灑方法。這種顯影方式可以分為三個階段:硅片被置于旋轉(zhuǎn)臺 上,并且在硅片表面上噴灑顯影液;然后硅片將在靜止的狀態(tài)下進行顯影;顯影完成后,需要經(jīng)過漂洗,之后再烘干。