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              發布時間:2021-06-17 03:10  






              。●初級與次級主繞組必須是近相鄰的繞組,這樣耦合會更有利。●開關電源在MOSFET-D端點工作時候產生的干擾是(也是RCD吸收端與變壓器相連的端點),在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組,并作為起點端,讓他藏在變壓器里層,這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的。●VCC繞組在計算其圈數時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值,不用考慮銅線的壓降,因為啟動前電流是非常小的,所以這個電阻并沒有多少影響,幾乎可以忽略不計。




              24v開關電源電路圖(一)電路以UC3842振蕩芯片為核心,構成逆變、整流電路。UC3842一種單端輸出式電流控制型脈寬調制器芯片,相關引腳功能及內部電路原理已有介紹,此處從略。AC220V電源經共模濾波器L1引入,能較好抑制從電網進入的和從電源本身向輻射的高頻干擾,交流電壓經橋式整流電路、電容C4濾波成為約280V的不穩定直流電壓,作為由振蕩芯片U1、開關管Q1、開關變壓器T1及其它元件組成的逆變電路。逆變電路,可以分為四個電路部分講解其電路工作原理。


              有的時候只差2、3dB的時候換一個不同品牌會有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管,這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例,一款過了EMI的產品,余量都有4dB以上,量產很多次了,其中有一次量產抽檢EMI發現輻射超1dB左右,不良率有50%,經過層層排查、一個個元件對換。終發現是VCC上的整流二極管引發的問題,更換之前的管子(留低樣品),余量有4dB。對不良管子分析,發現管子內部供應商做了鏡像處理。


              圖一b(230Vac) 圖一b可以看到,輸入電壓在230Vac測試時,65M和83M位置有點頂線(紅色線)圖一b-1(230Vac) 原邊吸收電容由471P加大到102P,65M位置壓下來一點,后面還是有點高,如圖一b-1所示; 圖一b-2(230Vac) 變壓器屏蔽改成線屏蔽(0.2*1*30Ts),后面完全衰減,如圖一b-2; 圖一b-3(115Vac) 115Vac輸入測試,后面150M又超了,發克!高壓好了低壓又不行,惱火啊!看來這招不行; 圖一b-4(115Vac) 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽(圈數由0.9Ts改成1.3Ts),效果不錯,如圖一b-4所示。 圖一b-5(230Vac) 115Vac輸入測試,測試通過。結論:一:變壓器出線需做到不交叉;二:Y電容回路走線越短越好先經過變壓器地再回到大電容地,不與其它信號線交叉;


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