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發布時間:2021-06-17 03:10  





。●初級與次級主繞組必須是近相鄰的繞組,這樣耦合會更有利。●開關電源在MOSFET-D端點工作時候產生的干擾是(也是RCD吸收端與變壓器相連的端點),在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組,并作為起點端,讓他藏在變壓器里層,這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的。●VCC繞組在計算其圈數時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值,不用考慮銅線的壓降,因為啟動前電流是非常小的,所以這個電阻并沒有多少影響,幾乎可以忽略不計。
有的時候只差2、3dB的時候換一個不同品牌會有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管,這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例,一款過了EMI的產品,余量都有4dB以上,量產很多次了,其中有一次量產抽檢EMI發現輻射超1dB左右,不良率有50%,經過層層排查、一個個元件對換。終發現是VCC上的整流二極管引發的問題,更換之前的管子(留低樣品),余量有4dB。對不良管子分析,發現管子內部供應商做了鏡像處理。