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細化晶粒是提升矯頑力的另一個有效途徑，經Sepehri-Amin等的微磁學模擬，減小晶粒規格能夠減小散電磁場，即能夠減少部分合理去磁系數Neff,進而提高內稟矯頑力Hcj（Hcj=αHa-NeffMs,α為顯微結構主要參數）。在細化晶粒層面早已干了許多工作中，包含減小速凝（SC）鋁合金片的晶粒規格、選用酯化歧化（HDDR）融合氫粉碎（HD）和氣流磨（JM）制粉、氣流磨研磨成粉方法更改或物質從N2改成氦氣、加工工藝全過程的無氧運動／氧合操縱、超低溫多局燒結這些。Ding等選用HDDR HD和N2-JM做成粒度分布為1μm下列的磁粉，燒結磁場達Hcj達14.72kOe，因為晶界富Nd相遍布不持續，并沒有做到理想化的矯頑力，技術性上仍尚需提升。2012年日本國昭和電工專利公布了一種高Ga低B秘方的磁體，可在不添加或者少添加Tb或Dy的狀況下得到高矯頑力（CN102959648），這促使含Ga燒結釹鐵硼磁體再一次遭受關心，Sasaki等強調高Ga（原子百分之成分0。

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晶界調控是另一種合理提高矯頑力的技術規范。根據秘方和加工工藝的調節對晶界相開展調控，有希望降低晶界相的鐵磁性或使其變化為非鐵磁性，進而具有盡快降低或除去晶粒中間帶磁藕合的功效，使內稟矯頑力在目前水準基本上進一步提高。2017年，Chen等根據電流的磁效應渦旋淬火開展晶界調控，使無重稀土細晶粒燒結釹鐵硼磁場的矯頑力由19.01k0e提升至20.56kOe。（2）磁體需要環氧膠粘劑、涂料等，基體具有良好的潤濕性，磷化技術可以提高磁性表面的潤濕性。

為了生產高1性能的永磁材料，企業的組織和管理應該注意生產過程的每一個環節，引導員工注意生產過程的每一個細節，即要求員工在這四個方面做蕞好的基本防氧化、防雜、防潮、防混淆。

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單位為兆高·奧（MGOe）或焦/米 3（J/m3）。退磁曲線上任何一點的 B 和H 的乘積既BH 我們稱為磁能積,而B×H 的值稱之為磁能積，為退磁曲線上的 D 點。磁能積是恒量磁體所儲存能量大小的重要參數之一。在磁體使用時對應于一定能量的磁體，要求磁體的體積盡可能小。另一方面，當Ce取代Nd加上到Nd2Fe14B鋁合金里時，Ce電離主要表現為3和4混和價態，立即危害到燒結磁體的相構成及薄膜光學，損害內稟矯頑力。