軌道交通用IGBT測試儀加工源頭好貨「華科智源」

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規格書的要求外，在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。Eon、Eoff開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設備安全技術規范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件 GB/T 2423 電工電子產品環境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用 GB/T 9969-2008 工業產品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。1V 3）集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0。

半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3。

公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。2反向恢復技術條件 測試參數： 1、Irr(反向恢復電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向恢復電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產品生產嚴格按照ISO9001∶2008標準質量管理體系運行，其品質、技術及工藝方面保持國內，部分產品達到國外同類產品的先進水平。 產品廣泛應用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發等行業，部分產品出口到歐美等發達國家。