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              徐州桌面型光纖激光打標機值得信賴

              發(fā)布時間:2020-11-03 05:18  

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              桌面型光纖激光打標機

              計算機控制系統(tǒng)是整個激光打標機控制和指揮的中心,同時也是軟件安裝的載體。通過對聲光調(diào)制系統(tǒng)、振鏡掃描系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制完成對工件打標處理。

              光纖激光打標機的計算機控制系統(tǒng)主要包括機箱、主板、CPU、硬盤、內(nèi)存條、D/A卡、軟驅(qū)、顯示器、鍵盤、鼠標等。








              “熱加工”具有較高能量密度的激光束(它是集中的能量流),照射在被加工材料表面上,材料表面吸收激光能量,在照射區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生熱激發(fā)過程,從而使材料表面(或涂層)溫度上升,產(chǎn)生、熔融、燒蝕、蒸發(fā)等現(xiàn)象。

              “冷加工”具有很高負荷能量的(紫外)光子,能夠打斷材料(特別是有機材料)或周圍介質(zhì)內(nèi)的化學鍵,至使材料發(fā)生非熱過程破壞。1983年在廣州和1986年在廈門又舉行了第二次、第三次國際會議,改變了我國的激光技術多年來封閉運轉(zhuǎn)的局面,開始走向世界。這種冷加工在激光標記加工中具有特殊的意義,因為它不是熱燒蝕,而是不產(chǎn)生'熱損傷'作用的、打斷化學鍵的冷剝離,因而對被加工表面的里層和附近區(qū)域不產(chǎn)生加熱或熱變形等作用。例如,電子工業(yè)中使用準分子激光器在基底材料上沉積化學物質(zhì)薄膜,在半導體基片上開出狹窄的槽。





              半導體型

              其發(fā)光源采用的是半導體列陣,所以光轉(zhuǎn)換效率非常高,達到40%以上;熱耗損低,無需單獨配備冷卻系統(tǒng);耗電少,1800W/H左右。采用CO2氣體激光管、擴束聚焦光學系統(tǒng)和高速振鏡掃描器,性能穩(wěn)定,長壽命,免維護2。整機性能非常穩(wěn)定,屬于免維護產(chǎn)品,整機免維護時間可達到150000小時,相當于10年免維護,沒有燈的更換,無耗材。

              基礎配置及技術規(guī)格:

              型號項目 CCC-DP50

              激光器 CCC-DP50(相干激光模塊)

              掃描振鏡 YAG-16mm鏡片

              聚焦透鏡 1064-110

              Q開關 英國Gooch & Housego

              控制軟件專業(yè)激光標記軟件for Windows98/2000/XP

              冷卻系統(tǒng) 水冷

              工作方式 靜態(tài)標記字體 50種以上的標準字體,并特殊設計手寫字體輸入功能

              輸入電源 220V AC 50Hz

              激光輸出功率 0-50W

              激光打標機

              打標頻率0.5-50KHZ

              整機功率 1500W

              打標線寬 0.02mm

              標刻深度 ≤3毫米(視材料可調(diào))標刻速度 ≤7000㎜/s

              小字符 0.2mm

              打標范圍 標準:110mm×110mm備 注 精密三維升降操作臺





              慣性約束聚變(ICF)激光驅(qū)動器——“神光”系列 在王淦昌、王大珩的指導下,和中國工程物理研究院從80年始聯(lián)合攻關,承擔了“神光”系列激光系統(tǒng)的研制和ICF物理實驗,取得了國際矚目的成就。如果不在大電流處工作,可以適當調(diào)高制冷機制冷溫度(但不得高于25℃)務必在規(guī)定的環(huán)境內(nèi)使用激光器系統(tǒng)設備(南方操作環(huán)境應加裝空調(diào))。其中,“神光-Ⅰ”激光裝置于1986年建成,輸出功率2萬億瓦,達到國際同類裝置的先進水平。“神光-Ⅰ”連續(xù)運行8年,在ICF和X射線激光等前沿領域取得了一批國際水平的物理成果。90年代又研制了規(guī)模擴大4倍、性能更為先進的“神光-Ⅱ”裝置,并即將投入運行。1995年,IC F在“863計劃”中立項,開始研制跨世紀的巨型激光驅(qū)動器——“神光-Ⅲ”裝置,總體設 計和關鍵技術研究已取得一系列高水平的成果。