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光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發生化學性質的改變，這是整個工藝的基礎。

光刻膠有不同的類型，PMMA（PMGI）以及DNQ（酚醛樹脂）等材料都可以做光刻膠。

 目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家，包括 FUTURREX、陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、LG化學等等，中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。

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9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。在光刻膠生產種類上，我國光刻膠廠商主要生產PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小，相關光刻膠主要依賴進口。負膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場O2---電離O- O ,  O 活性基與膠反應CO2，CO， H2O, 光刻檢驗

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝?！?0次方的光刻膠經過多次烘烤，由于達不到客戶需求的防靜電作用，不能應用到新一代窄邊框等面板上。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。

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PR1-2000A1 試驗操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態滴膠后以1300轉/分速度持續40秒。同時必須需要在1秒內達到從0轉/分到1300轉/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長為365,406,436的波長曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。