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發布時間:2021-10-19 08:50  
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化學氣相沉積技術在材料制備中的使用
化學氣相沉積技術生產多晶/非晶材料膜:
化學氣相沉積法在半導體工業中有著比較廣泛的應用。但是,我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結晶等往往難以滿足這些要求,也難以保證得到高純度的產品。比如作為緣介質隔離層的多晶硅沉積層。在當代,微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,也有一些在未來有可能發展成開關以及存儲記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。
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化學氣相沉積產品概述
沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業生產、銷售化學氣相沉積,我們公司堅持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽,以產品求發展,以質量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創輝煌。
1、適用范圍:適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。
2、產品優點及特點:應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備,兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。
3、主要用途:主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。
等離子體化學氣相沉積的化學反應
以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供,希望對同行業的朋友有所幫助。
等離子體內的化學反應
由于輝光放電過程中對反應氣體的激勵主要是電子碰撞,因此等離子體內的基元反應多種多樣的,而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復雜,這些都給PECVD技術制膜過程的機理研究增加了難度。對基于PECVD技術的硅基薄膜的沉積而言,如果能夠深刻揭示其沉積機理,便可以在保證材料優良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。迄今為止,許多重要的反應體系都是通過實驗使工藝參數較優化,從而獲得具有理想特性的薄膜。對基于PECVD技術的硅基薄膜的沉積而言,如果能夠深刻揭示其沉積機理,便可以在保證材料優良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。
ICP刻蝕機的應用
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等離子體處理可應用于所有的基材,甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗,等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低,因此,低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機的典型應用包括:
等離子體清除浮渣
光阻材料剝離
表面處理
各向異性和各向同性失效分析應用等離子刻蝕反應材料改性
包裝清洗
鈍化層蝕刻
聚亞酰胺蝕刻
增強粘接力
生物醫學應用
聚合反應
混合物清洗
預結合清洗