磁控濺射鍍膜機價格優惠報價「沈陽鵬程」

雙靶磁控濺射鍍膜系統

設備用途：

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質量和牢固度。

設備組成

系統主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（2個靶）、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

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濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。磁控濺射鍍膜機的特點擅長生長高質量的薄膜或是超薄膜,金屬與絕緣材料。電離出的離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。

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磁控濺射介紹

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由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。標配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發熱甚至發生二次濺射，影響制膜質量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。

小型磁控濺射鍍膜系統簡介

小型磁控濺射鍍膜系統適合于快速濺射鍍膜科研、教學與小批量打樣，可快速、低成本的制備多種微納米厚度的膜層。

具有一體化、占用空間小、靈活的特點，無需380V工業電，無需額外冷水機，采用無油干泵分子泵組，無需操心真空系統和操作間環境泵油污染。

保證設備具有優異的質量與穩定可靠性。觸摸屏控制界面，帶來簡單、操作方便的體驗。

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