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發布時間:2021-07-24 19:41  
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光刻膠的應用
光刻膠的應用
1975年,美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。該技術的引入,可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射,從而改善光刻膠的分辨率性能,但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。1978年,德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重,分別適用于不同級別IC的制作要求。其中,SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。
芯片光刻的流程詳解(二)
所謂光刻,根據維基百科的定義,這是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。光刻膠介紹光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料,隨后被改進運用到PCB板的制造,并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。
光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點,將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
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光刻膠穩定性
化學穩定性:在正常儲存和操作條件下,在密閉容器中室溫穩定。
避免的條件: 火源、濕氣、過熱的環境。
不相容的其他材料: 強氧化劑。
光刻膠毒理資料
淡黃色液體,氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。
毒性數據
皮膚:可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀,類似于吸入。長時間或重復接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。
眼睛:引起眼睛發炎。
吸入:吸入時可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導致困倦和頭暈。
攝食:吞食有害。
延遲效應:肝和損害,以及動物實驗中有報道血液和GU髓有影響。