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離子束刻蝕機的原理

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利用輝光放電原理將ya氣分解為ya離子，ya離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊，以達到刻蝕的作用。把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發生濺射，達到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。

刻蝕機

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標的參數。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導致圖形轉移的不均勻，等離子刻蝕機尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標的重要參數。除以上參數外，刻蝕速率也是一個重要指標，它用來衡量硅片的產出速度，刻蝕速率越快，則產出率越高。

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反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。