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什么是化學氣相沉積？

化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。其原理是當激光垂直入射薄膜表面時，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程準確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

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化學氣相沉積技術的使用

生產晶須：

晶須屬于一種以為發育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產一些新型復合材料。 化學氣相沉積法在生產晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質。等離子體中的原子或分子被電子激發到激發態后，在返回到另一個能態時，伴隨著這一過程所發射出來的光線。化學氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

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等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。如果經過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發生各反應物之間的次級反應；

然后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。

ICP刻蝕機裝片介紹

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等離子體系統效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。冷熱探針法將夾具平穩放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。同樣道理，P型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。