氣相化學沉積設備公司歡迎來電「多圖」

化學氣相沉積的特點

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。

特點

1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。

2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。

）采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。

4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5）可以控制涂層的密度和涂層純度。

6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行的氣相擾動，以改善其結構。

8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

化學氣相沉積的特點有哪些？

?  高溫石英管反應器設計

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準確控制

?  標準氣壓計

?  易于操作

?  可配機械泵實現低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅體噴頭

沈陽鵬程真空技術有限責任公司本著多年化學氣相沉積行業經驗，專注化學氣相沉積研發定制與生產，先進的化學氣相沉積生產設備和技術，建立了嚴格的產品生產體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?！

等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售化學氣相沉積，我們為您分析該產品的以下信息。

等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學氣相沉積法有更多技術優勢，所以大多數制備金屬薄膜都會采用這種方式。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發生各反應物之間的次級反應；

然后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。