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發布時間：2021-03-31 03:12
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（2）主要技術參數 1）基本參數 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V
2.4短路技術條件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路電流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技術條件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設定 5、測試頻率：單次 2.6 NTC測試技術條件 阻值測量范圍：0～20KΩ
IGBT靜態參數測試部分主要材料技術要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數要求 ?大功率Igbt模塊測試系統簡介我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統具備下列測試能力：☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。低壓開關電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續可調 ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V
