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發布時間：2021-10-03 22:35
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了解了肖特基二極管的基本原理，那你知道肖特基勢壘二極管的內部結構是怎樣的嗎？接下來就由ASEMI專業技術工程師為您解析這一問題。
典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。
快恢復二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會有什么樣的優勢呢？
首先，我們來看一下一般的快恢復二極管。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。
ASEMI肖特基二極管參數的研發拓展：
ASEMI研制的MBR60100PT MBR60150PT MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業界居先進水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。
