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發布時間:2021-01-18 04:49  
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光刻膠定義
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光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist,又翻譯為抗蝕劑、光阻等。因為光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法,因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。當紫外光或電子束的照射時,光刻膠材料本身的特性會發生改變,經過顯影液顯影后,曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面,這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上,而后續的刻蝕、沉積等工藝,就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上,后再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子;負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負膠的曝光部分被保留。
光刻膠一般由4部分組成:樹脂型聚合物(resin/polymer),溶劑(solvent),光活性物質(photoactive compound,PAC),添加劑(Additive)。 其中,樹脂型聚合物是光刻膠的主體,它使光刻膠具有耐刻蝕性能;溶劑使光刻膠處于液體狀態,便于涂覆;光活性物質是控制光刻膠對某一特定波長光/電子束/離子束/X射線等感光,并發生相應的化學反應;添加劑是用以改變光刻膠的某些特性,如控制膠的光吸收率/溶解度等。
光刻膠的未來發展
以下內容由賽米萊德為您提供,希望對同行業的朋友有所幫助。
由于光刻膠的技術壁壘較高,國內光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠,基本被日本和美國企業占據。
國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠,面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中,PCB光刻膠占比94%,LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。
國內光刻膠需求量遠大于本土產量,且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚,目前技術水平相對落后,生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品,TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少,仍需大量進口,從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。
光刻膠的性能
賽米萊德專業生產、銷售光刻膠,以下信息由賽米萊德為您提供。
光刻膠產品種類多、專用性強,是典型的技術密集型行業。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同,導致對于材料的感光性能、溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊,要求使用不同品質等級的光刻膠專用化學品。
光刻膠的組成
光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。