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發布時間：2020-08-25 08:29
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IGBT動態參數測試系統技術要求
1、設備概述
該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。
2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協議及其他必要的技術文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；半導體元件有許多參數都很重要，有些參數如：放大倍率，觸發參數，閂扣，保持參數，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據，在檢測元件是否有老化的現象時，僅須測量導通參數及漏電流二項即可。（正本、副本）技術資料，應至少有一份采用中文，另一份技術資料可以是英文或中文。
3、系統基本參數
3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加熱功能：室溫～150℃；
3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；
3.4 環境溫度：25℃±15℃；
3.5 環境濕度：50% ±20% （相對濕度）
4、動態測試基本配置
4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；
4.3 電流持續時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；
4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；
4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；
（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；
4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態測試）。
14）工控機及操作系統
用于控制及數據處理，采用定制化系統，主要技術參數要求如下：
?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；
?支持ATX母板；
?CPΜ：INTEL雙核；
?主板：研華SIMB；
?硬盤：1TB；內存4G；
?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；
?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。
?西門子PLC邏輯控制
15）數據采集與處理單元
用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：
?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求
?電流探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求
?狀態監測：NI數據采集卡
?上位機：基于Labview人機界面
?數據提取：測試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式，特別是動態測試波形可存儲為數據格式；所檢測數據可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據；?數據處理和狀態檢測部分內容可擴展
公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數據便稱為此元件的參數。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產品生產嚴格按照ISO9001∶2008標準質量管理體系運行，其品質、技術及工藝方面保持國內，部分產品達到國外同類產品的先進水平。 產品廣泛應用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發等行業，部分產品出口到歐美等發達國家。
