感應耦合等離子體刻蝕機供貨商常用指南 創世威納公司

感應耦合等離子體刻蝕的原理

以下是創世威納為您一起分享的內容，創世威納專業生產感應耦合等離子體刻蝕，歡迎新老客戶蒞臨。

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

感應耦合等離子體刻蝕機的原理

如果需要進行刻蝕，和蝕刻后，除污，清除浮渣，表面處理，等離子體聚合，等離子體灰化，或任何其他的蝕刻應用，我們能夠制造客戶完全信任的等離子處理系統，以滿足客戶的需要。我們既有常規的等離子體蝕刻系統，也有反應性離子蝕刻系統，我們可以制造系列的產品，也可以為客戶定制特殊的系統。我們可以提供快速/高品質的蝕刻，減輕等離子傷害，并提供的均勻性。

等離子體處理可應用于所有的基材，甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。

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等離子刻蝕工藝

等離子體刻蝕分為兩個過程：首先，等離子體中產生化學活性組分；其次，這些活性組分與固體材料發生反應，形成揮發性化合物，從表面擴散排走。例如，CF4離解產生的F，與S反應生成SiF4氣體，結果是在含Si材料的表面形成了微觀銑削結構。等離子體刻蝕是一個通用術語，包括離子刻蝕、濺射刻蝕以及等離子體灰化等過程。

基底和工藝參數決定了表面改性的類型，基底溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性深度。等離子體僅能在表面刻蝕幾個微米的深度，改性后的表面特性發生了改變，但大部分材料的特性仍能得以保持。這項技術還可以用于表面清洗、固話、粗化、改變親水性及粘結性等，同樣也可以使電子顯微鏡下觀察的樣品變薄以及應用于半導體集成電路的制造過程中。在化學濺射中會發生反應并產生揮發性產物。常用的氣體包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣等。與存在化學反應的等離子體濺射相比，惰性離子濺射更像是一個物理過程。

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高密度等離子體源在刻蝕工藝上具有許多優勢，例如，可以更準確地控制工作尺寸，刻蝕速率更高，更好的材料選擇性。高密度等離子體源可以在低壓下工作，從而減弱鞘層振蕩現象。使用高密度等離子體源刻蝕晶片時，為了使能量和離子通量彼此獨立，需要采用獨立射頻源對晶圓施加偏壓。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級，在離子進入負鞘層后，其能量經加速將達到上百電子伏特，并具有高度指向性，從而賦予離子刻蝕的各向異性。

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