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脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用激光對物體進行轟擊，然后將轟擊出來的物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。

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脈沖激光沉積簡介

隨著現代科學和技術的發展，薄膜科學已成為近年來迅速發展的學科領域之一，是凝聚態物理學和材料科學的一個重要研究領域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不僅具有豐富的物理內涵，而且在微電子、光電子、超導材料等領域具有十分廣泛的應用。長期以來，人們發明了多種制膜技術和方法：真空蒸發沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機化學氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。上述方法各有特點，并在一些領域得到應用。但由于其各有局限性，仍然不能滿足薄膜研究的發展及多種薄膜制備的需要。該法無需在沉積后進行退火促進內部擴散或結晶，對于生長溫度是關鍵參數的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。隨著激光技術和設備的發展，特別是高功率脈沖激光技術的發展，脈沖激光沉積（PLD）技術的特點逐漸被人們認識和接受

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脈沖激光沉積的應用領域

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售脈沖激光沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應用領域：

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導，光學薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測薄膜（V2O5，PZT）

脈沖激光沉積細節介紹

很多復雜氧化物薄膜在相對高的氧氣壓力（>100 Torr）下冷卻是有利的。所有Pioneer 系統設計的工作壓力范圍。從它們的額定初始壓力到大氣壓力。這也有益于納米粒子的生成。

Pioneer PLD 系統的激光束入射角為45°，保持了激光密度在靶材上的均勻性，同時避免使用復雜而昂貴的光學部件。淺的入射角能夠拉長靶材上的激光斑點，導致密度均勻性的損失。

為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵流體，消除油的回流對薄膜質量的影響，所有Pioneer 系統的標準配置都采用無油真空系統。

我們的研究表明靶和基片的距離是獲得較佳薄膜質量的關鍵參數。Pioneer 系統采用可變的靶和基片的距離，對沉積條件進行較大的控制。

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