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發布時間：2021-09-27 01:29
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IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準，系統為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展潛能。3半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T4023-1997半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管。 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測。為提供穩定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測問題。
為何老化的元件必須盡早發現及盡早更換？
當功率元件老化時，元件的內阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。數據提取：測試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式，特別是動態測試波形可存儲為數據格式。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發現更換。
8）高壓大功率開關
?電流能力 200A
?隔離耐壓 10kV
?響應時間 150ms
?脈沖電流 20kA（不小于10ms）
?工作方式 氣動控制
?工作氣壓 0.4MPa
?工作溫度 室溫～40℃
?工作濕度 <70%
9）尖峰抑制電容
用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。
?電容容量 200μF
?分布電感 小于10nH
?脈沖電流 200A
?工作濕度 <70%
