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化學氣相沉積技術在材料制備中的使用

化學氣相沉積技術生產多晶/非晶材料膜：

化學氣相沉積法在半導體工業中有著比較廣泛的應用。比如作為緣介質隔離層的多晶硅沉積層。化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。在當代，微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未來有可能發展成開關以及存儲記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。

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化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學氣相沉積法生產金屬銥高溫涂層從20世紀80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機化合物化學氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復合噴管，并獲得了成功，這時化學氣相沉積法在生產金屬涂層領域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應進行沉積。銥的沉積速度很快，可以達到3~20μm/h。 沉積厚度也達到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達 70%以上。

物理氣相沉積和化學氣相沉積的區別

化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態有改變。

物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。

化學雜質難以去除。優點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

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