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發布時間:2021-10-21 05:31  
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變頻器功率場效應晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進展較慢,故在變頻器中的應用尚不能居主導地位。2、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物,是柵極為絕緣柵結構(MOS結構)的晶體管,它的三個極分別是集電極C、發射極E和柵極G。工作特點是,控制部分與場效應晶體管相同,控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高,柵極電流I≈0,故驅動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同,工作電流為集電極電流I。
變頻器磁環還可根據現場情況加繞在變頻器控制信號端或模擬信號給定端的進線上。在電機實際應用過程中,與變頻器的配合使用越來越普遍,那電機與變頻器之間到底是種什么關系呢?變頻器距離電動機距離過遠時(超過100m),電機與變頻器之間的電纜寄生電容過大,并與電機三相繞組寄生電容共同作用,在變頻器開關接通瞬間,由于速度很快,會產生過大的尖峰電流,使變頻器工況惡化,甚至燒毀開關。
雖然變頻器電力規模列世界第二位,但人均用電量卻為世界倒數位置。況且我國經濟快速發展需求更多的電力。若按國民經濟增長8%要求電力增長11%計算,到2010年我國發電容量應為5.7~6.0億kW,年發電量達28000~29000億kWH。2003年夏季持續高溫造成部分省市電力供應緊張,采取拉閘限電措施。由于電力網負擔過重,造成局部電力系統不穩定現象。