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硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅，將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為摻雜。加入的摻雜劑使那些長大的硅錠表現出所需要的電特性。普通的摻雜劑是硼、磷、砷和銻。SEMI版的全球集成電路制造廠預測報告揭示，半導體廠2010年的支出預計將上升至300多億美元，較2009年同比增長88%。因使用的摻雜劑不同，會成為一個P型或N型的硅錠（P型/硼，N型/磷、銻、砷）。

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然后將這些物質加熱到硅的熔點——攝氏1420度之上。一旦多晶硅和摻雜劑混合物熔解，便將單晶硅種子放在熔解物的上面，只接觸表面。種子與要求的成品硅錠有相同的晶向。為了使摻雜均勻，子晶和用來熔化硅的坩堝要以相反的方向旋轉。

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全球半導體市場規模為3009.4億美元，僅實現微弱增長0.88%，究其原因，主要是金融危機后全球經濟復蘇缺乏動力，美國經濟持續低迷，歐洲債務危機益發嚴重且缺乏統一、有效的救助手段，新興市場國家普遍通貨膨脹加劇。經濟環境的不景氣以及對通貨膨脹的抑制，直接導致了其對電子整機需求的減弱。此外，半導體廠商在金融危機期間逆市投資擴大產能的市場效應也集中于2012年釋放，市場需求放緩、制造產能過剩直接導致了產品價格的大幅下降，以DRAM產品價格下滑幅度。不少代工廠和存儲器公司在過去的幾個月內宣布了增加資本開支的計劃。