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發布時間：2021-08-02 21:02
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電池片的檢驗
電池片的檢驗
一十三、印刷圖型
主柵線：
A級：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃）
新的規范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。
B級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃）
新的規范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃）
C級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況
新的規范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm，
副柵線：
A級：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.
新的規范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。
B級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%.
電池片的制作工藝
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。
影響因素
1. 溫度
溫度 T 越高，擴散系數 D 越大，擴散速度越快。
2. 時間
對于恒定源：時間 t 越長結深越深，但表面濃度不變。
對于限定源：時間 t 越長結深越深，表面濃度越小。
3. 濃度
決定濃度是因素：氮氣流量、源溫。
表面濃度越大，擴散速度越快。
4. 第三組元
主要是摻硼量對擴散的影響，雜質增強擴散機制。在二元合金中加入第三元素時，擴散系數也會發生變化。摻硼量越大，擴散速率越快。即電阻率越小，越容易擴散。
控制點
方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。
方塊電阻： 表面為正方形的半導體薄層在電流方向所呈現的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對方塊硅片，長度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學濃度， Xj ：擴散結深。
破碎太陽能發電板回收回收報廢太陽能發電板電話
振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，試驗板，負債還款，返修，太陽能發電控制模塊收購等。
太陽電池片規范
1、范疇
本規范適用百力達結晶硅太陽電池，包含單晶硅太陽電池和多晶硅太陽電池（下稱充電電池）。
2、規范化引證文檔以下文檔中的條文根據本規范的引證而變成本規范的條文。因此注時間的引證文檔，其接著全部的改動單（不包含勘誤的內容）或改版均不適感用以本規范，但激勵依據本規范達成共識的多方科學研究是不是可應用這種文檔的新版。因此不注時間的引證文檔，其新版適用本規范。
GB/T2297自然光伏能源系統專業術語GB/T6618硅片薄厚和總薄厚轉變測試標準GB/T6495.1太陽能發電元器件首位一部分：太陽能發電電流量—工作電壓特點的測量（idtIEC904—1：1987）
GB/T6495.3太陽能發電元器件后一部分：路面用太陽能發電元器件的測量基本原理及規范光譜儀副光照強度數（idtIEC904—3：1987）
GB/T17473.3厚膜電子信息技術用貴重金屬料漿測試標準方阻測量
GB/T17473.7厚膜電子信息技術用貴重金屬料漿測試標準可焊性、耐焊性測量
GB2828.1一部分：技術性抽樣檢驗程序流程按接受品質限（AQL）查找的逐批檢測取樣方案
GB2829周期時間檢測記數取樣程序流程及表（適用加工過程可靠性的查驗）SJ/T10459太陽電池溫度指數測試標準ASTMD3359standardtestmethodsformeasuringadhesionbytapetest（膠布實驗測量黏合性的方式 ）
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電池片流程
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電池片流程
1、 車間段位構成
WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質量決定了電池片的轉換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）
需注意 :
1) 切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細 柵方向，預防水波紋出現。
2) 線痕： 單線痕
密集線痕
3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。
制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉換率。
減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內要及時送入下一工序。
