佛山真空電鍍機(jī)詢問(wèn)報(bào)價(jià)「至成真空科技」

真空鍍膜過(guò)程的對(duì)于濺射類鍍膜到底多重要？

可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。

濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長(zhǎng)的控制也比較一般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。

對(duì)于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精準(zhǔn)控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)與工作原理介紹

一、真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)：

真空卷繞鍍膜機(jī)由真空罐、真空抽氣系統(tǒng)、蒸發(fā)系統(tǒng)、卷繞系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)及電氣系統(tǒng)組成。

真空罐是整臺(tái)真空鍍膜設(shè)備的主體部件，其結(jié)構(gòu)為圓柱形筒體，左端為圓形封頭封閉，右端的法蘭與卷繞車的大圓板對(duì)接實(shí)現(xiàn)密封。

外部聯(lián)接抽氣管道，內(nèi)部空間用于在真空狀態(tài)中鍍制產(chǎn)品，分為上下室，上室是基材卷繞室，下室是鋁絲蒸發(fā)鍍膜室。

二、真空鍍膜機(jī)的工作原理：

真空罐的正面中上部裝有可供觀察基材運(yùn)行情況和觀察鍍層質(zhì)量的長(zhǎng)方形觀察窗，正面中下部裝有可供觀察送絲情況和蒸發(fā)舟加熱狀態(tài)的長(zhǎng)方形觀察窗，同時(shí)還裝有可供觀察收料軸、放料軸運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的圓形視窗各一個(gè)。

真空罐的背面中下部開(kāi)有一方形的蒸發(fā)鍍膜室抽氣口，尾部圓封頭處開(kāi)有一圓形的卷繞室抽氣口。真空罐的底部裝有水箱，用于罐體的冷卻，頂部裝有真空測(cè)量規(guī)管用于測(cè)量真空室內(nèi)的壓力。

真空鍍膜機(jī)濺鍍的原理

以幾十電子伏特或更高動(dòng)能的荷電粒子炮擊資料外表，使其濺射出進(jìn)入氣相，可用來(lái)刻蝕和鍍膜。入射一個(gè)離子所濺射出的原子個(gè)數(shù)稱為濺射產(chǎn)額(Yield)產(chǎn)額越高濺射速度越快，以Cu,Au,Ag等高，Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glowdischarge)發(fā)生，在10-1—10Pa真空度，在兩極間加高壓發(fā)生放電，正離子會(huì)炮擊負(fù)電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。

正常輝光放電(glowdischarge)的電流密度與陰極物質(zhì)與形狀、氣體品種壓力等有關(guān)。濺鍍時(shí)應(yīng)盡也許保持其安穩(wěn)。任何資料皆可濺射鍍膜，即便高熔點(diǎn)資料也簡(jiǎn)單濺鍍，但對(duì)非導(dǎo)體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因?qū)щ娦暂^差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達(dá)10W/cm2，非金屬<5W/cm2

二極濺鍍射：靶材為陰極，被鍍工件及工件架為陽(yáng)極，氣體(Ar氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。

磁控濺射：在陰極靶外表構(gòu)成一正交電磁場(chǎng)，在此區(qū)電子密度高，進(jìn)而進(jìn)步離子密度，使得濺鍍率進(jìn)步(一個(gè)數(shù)量級(jí))，濺射速度可達(dá)0.1—1um/min膜層附著力較蒸鍍佳，是現(xiàn)在有用的鍍膜技能之一。