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LED芯片的制造工藝流程

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

其實外延片的生產制作過程是非常復雜的，在展完外延片后，下一步就開始對LED外延片做電極(P極，N極)，接著就開始用激光機切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀)，制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試：

1、主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準參數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

2、晶圓切割成芯片后，100%的目檢(VI/VC)，操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進行目測。

3、接著使用全自動分類機根據不同的電壓，波長，亮度的預測參數對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。

4、蕞后對LED芯片進行檢查(VC)和貼標簽。芯片區域要在藍膜的中心，藍膜上蕞多有5000粒芯片，但必須保證每張藍膜上芯片的數量不得少于1000粒，芯片類型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在標簽上，附在蠟光紙的背面。

LED芯片的分類——TS芯片和AS芯片

LED芯片的分類有哪些呢？

TS芯片定義和特點

定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專i利產品。

特點：

(1)芯片工藝制作復雜，遠高于AS LED。

(2)信賴性卓i越。

(3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。

(4)應用廣泛。

AS芯片定義與特點

定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;經過近四十年的發展努力，臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發、生產、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平，差距不大。

大陸芯片制造業起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。

(1)四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規芯片要亮。

(2)信賴性優良。

(3)應用廣泛。

LED芯片發展歷程

2003年6月中國科技部首i次提出我國發展半導體照明，標志著我國半導體照明項目正式啟動。

2006年的“十一五”將半導體照明工程作為國家的一個重大工程進行推動，在國家政策和資金的傾斜支持下，2010年我國LED產業規模超1500億元。

2011年國家發改委正式發布中國淘汰白熾燈的政府公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年為淘汰白熾燈的過渡期，同時也是LED照明行業的快速發展期。

中國LED產業起步階段，芯片主要依賴進口。近年來，在國家政府政策支持下，我國LED芯片廠商加大研發投入，國內LED芯片行業發展迅速，產能逐漸向中國大陸轉移，2017年國內LED芯片供過于求苗頭初現，主流芯片廠開始轉向高i端產能并進行擴產。