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              回收光伏輔料板全國上門回收【振鑫焱光伏科技】

              發布時間:2021-01-05 17:51  

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              視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






              太陽電池片標準

              振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務償還,返工,光伏模塊回收等。


              5 、 檢測方法

              5.1 設計和結構

              5.1.1   基體材料

              電池的基體材料應按相關詳細規范的要求及檢測方法進行檢測。

              5.1.2   電極

              5.1.2.1  電池電極的完整性、電極圖形位移的檢驗應使用分辨力優于 0.01mm 的標準尺測量。

              5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下,目測電極是否變色。

              5.1.2.3 電池電極的導電性按 GB/T17473.3  進行。

              5.1.2.4 電池電極的可焊性按 GB/T17473.7  進行。

              5.1.3 背面鋁膜

              5.1.3.1 背面鋁膜與基體材料的匹配性檢測

              通過檢測電池的彎曲變形,驗證背面鋁膜材料的熱膨脹系數與基體材料的匹配性。適用表面平整度優于 0.01mm 平臺,電池背面朝下水平放置,用分辨力優于 0.01mm 的量具進行檢驗。

              5.1.3.2 背面鋁膜與基體材料的附著強度測驗

              如圖 2 所示放置樣品,在滿足 EVA 充分交聯的條件下壓層,取出后立即撕下四氟布,待冷卻到室溫后,用刀割斷 EVA 和鋁膜,撕去 EVA 條,觀察有無鋁膜脫落。

              5.1.3.3 背面鋁膜外觀檢驗

              背面鋁膜的凸起高度應使用分辨力優于 0.01mm 的帶標尺的光學顯微鏡測量,圖形缺陷采用目測。圖形位移采用分辨力優于 0.02mm 的卡尺測量。

              5.1.3.4 背面鋁膜的導電性檢測背面鋁膜的導電性按GB/T17473.3 進行。

              5.1.4  減反射膜附著強度檢測

              減反射膜附著強度的測試采用膠帶試驗測定粘合性的方法,膠帶附著強度不小于 44N/mm 。具體按 ASTM3359 進行,減反射膜不脫落。





              電池片常見異常情況處理方法

              振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務償還,返工,光伏模塊回收等。


              四、 鋁珠:

              鋁珠產生的根本原因是過燒,鋁的熔點是660℃,當鋁受熱超過這一溫度時,鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常,燒結爐的設置溫度都遠高于這一溫度,這里所說的660℃是指電池片表面實際感受的溫度,設置的溫度雖高,由于燒結爐帶速很快,鋁層實際感受到的溫度是遠低于設置溫度的。

              解決這一問題的辦法是降下燒結區溫度,或是加快燒結爐的帶速,減少熱量的給予。此法效果非常明顯,鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會損失電池片的電性能數據,那么降到什么程度呢,我們的經驗是,降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。

              五、 鋁刺:

              1、 背場印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度;

              2、 燒結網帶不潔凈:清洗網帶或對忘帶進行打磨;

              3、 燒結網帶抖動嚴重:由設備人員來調整網帶;

              4、 燒結溫度過高:不影響電性能的情況下降下燒結溫度;





              電池片各工序影響因素及異常情況

              電池片各工藝流程危害要素及異常現象 

              4.NaOH產生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高,金字塔式容積越小,反映前期,金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害,堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉變比較顯著,濃度值高的NaOH水溶液與硅體現的速率加速,再反映過段時間后,金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時,各向異性系數縮小,絨面會愈來愈差,類似打磨拋光。可控性水平:與IPA相近,線性度不高。 

              5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效,使反映不會很強烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點,生長發育出的金字塔式更勻稱,更小一點兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去,Na2SiO3傳熱性差,會危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易產生水流、花藍印和表層黑斑。可控性水平:沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡合劑的雙向功效,硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產生可溶解與水的絡合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層,SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

              基準點1.減薄量界定:硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首籃減薄量在0.7±0.2g;之后減薄量在0.6±0.2g。2.絨面分辨規范:成核相對密度高,尺寸適度,勻稱。

              操縱范疇:多晶硅:金字塔式規格3~10um。3.外型無豁口,黑斑,裂痕,激光切割線,刮痕,凹痕,有沒有白斑病,贓污。





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