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發布時間:2020-12-05 02:20  
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測試的IGBT參數包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態集極漏流)、VF(二極管壓降)、GFS(跨導)、rCE(導通電阻)等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。01mA 柵極電壓VGE: 0V 6)柵極-發射極閾值電壓 VGEth: 1-10V±2%±0。
半導體元件全自動測試系統,可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓,并測量重要參數的數據,再與原出廠指標比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊,都具有獨立的供電系統,以便在測試時,提供內部電路及電池組充電之用;1~200AVge柵極電壓 -30V~30V -30~0V±1%±0。 可選購外部高壓模塊,執行關閉狀態參數測試如:各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

7、測量配置
7.1 示波器:美國泰克新5系混合信號示波器(MSO),帶寬500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;
7.2 高速電流探頭;
7.3 高壓差分探頭。
8、測試參數應包括
8.1 開通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon );
8.2 關斷:turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff);
8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);
8.4 柵電荷:采用恒流驅動,電流可調范圍:0~100mA;
8.5 短路(1200Amax);
8.6 雪崩;
8.7 NTC(模塊)測試:0-20KΩ;
8.8 主要測試參數精度偏差 :< 3 % 。

產品主要有電力半導體器件、組件、模塊(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等)的檢測及可靠性設備,電氣自動化設備,電冶、電化學裝置,電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐,晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統、光電脈沖觸發板、IGBT的智能高壓驅動板等。等領域,使半導體開發技術人員在市場需求下,對大功率元件的發展技術,持續在突破。
