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發(fā)布時(shí)間:2021-10-15 04:50  
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電解電容器的內(nèi)部有儲(chǔ)存電荷的電解質(zhì)材料,分正、負(fù)極性,類似于電池,不可接反。正極為粘有氧化膜的金屬基板,負(fù)極通過(guò)金屬極板與電解質(zhì)(固體和非固體)相連接。
1、電路設(shè)計(jì)
(1)在確認(rèn)使用及安裝環(huán)境時(shí),作為按產(chǎn)品樣本設(shè)計(jì)說(shuō)明書上所規(guī)定的額定性能范圍內(nèi)使用的電容器,應(yīng)當(dāng)避免在下述情況下使用:
a)高溫
b)過(guò)流
c)過(guò)壓
d)施加反向電壓或交流電壓。
e)使用于反復(fù)多次急劇充放電的電路中。
另:在電路設(shè)計(jì)時(shí),請(qǐng)選用與機(jī)器壽命相當(dāng)?shù)碾娙萜鳌?
(2)電容器外殼、輔助引出端子與正、負(fù)極 以及電路板間必須完全隔離;
(3)當(dāng)電容器套管的絕緣不能保證時(shí),在有絕緣性能特定要求的地方請(qǐng)不要使用;
(4)請(qǐng)不要在下述環(huán)境下使用電容器:
a)直接與水、鹽水及油類相接觸、或結(jié)露的環(huán)境;
b)充滿有害氣體的環(huán)境(硫化物、h2so3、hno2、cl2、氨水等);
c)置于日照、o3、紫外線及有性物質(zhì)的環(huán)境;
d)振動(dòng)及沖擊條件超過(guò)了樣本及說(shuō)明書的規(guī)定范圍的惡劣環(huán)境;
(5)在設(shè)計(jì)電容器的安裝時(shí),必須確認(rèn)下述內(nèi)容:
a)電容器正、負(fù)極間距必須與線路板孔距相吻合;
b)保證電容器防爆閥上方留有一定的空間;
c)電容器防爆閥上方盡量避免配線及安裝其他元件;
d)電路板上,電容器的安裝位置,請(qǐng)不要有其他配線;
e)電容器四周及電路板上盡量避免設(shè)計(jì)、安裝發(fā)熱元件;
(6)另外,在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須確認(rèn)以下內(nèi)容:
a)溫度及頻率的變化不至于引起電性能變化;
b)雙面印刷板上安裝電容器時(shí),電容器的安裝位置避免多余的基板孔和過(guò)孔;
c)兩只以上電容器并聯(lián)連接時(shí)的電流均衡;
d)兩只以上電容器串聯(lián)連接時(shí)的電壓均衡。
電容器是一種儲(chǔ)能元件,具有“隔直通交,陰低頻通高頻”的特性,人們?yōu)榱苏J(rèn)識(shí)和鑒別不同電路中的電容器,根據(jù)其在線路中的作用而給它起了許多名稱,了解這些名稱和作用,對(duì)讀圖是墊腳有幫助的.下面介紹一些常用名稱的含義.
1、濾波電容
它并接在電路正負(fù)極之間,把電路中無(wú)用的交流電流去掉,一般采用大容量電解電容器,也有采用其他固定電容器的.
2、退耦電容
并接于電路正負(fù)極之間,可防止電路通過(guò)電源內(nèi)阻形成的正反饋通路而引起的寄生振蕩.
3 、耦合電容
連接于信號(hào)源和信號(hào)處理電路或兩級(jí)放大器之間,用以隔斷直流電,讓交流電或脈動(dòng)信號(hào)通過(guò),使相信的放大器直流工作點(diǎn)互不影響.
脈沖動(dòng)力
一組大型,特別構(gòu)造的低電感高壓電容(電容器組)可用于為許多脈沖功率應(yīng)用中提供巨大的電流脈沖。這些包括電磁成形,marx發(fā)動(dòng)機(jī),脈沖激光器(特別是TEA激光器),脈沖形成網(wǎng)絡(luò)1,雷達(dá),融合研究和粒子加1速器。
大型電容器組(水庫(kù))被用作核武1器和其他武1器中的爆1炸式橋梁雷1管或搗毀雷1管的能量來(lái)源。
電力調(diào)節(jié)
蓄電池電容器用于電源,它們可以平滑全波或半波整流器的輸出。 它們也可以在電荷泵電路中用作能量存儲(chǔ)元件,以產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。如果在碰觸時(shí)有明顯的不大的火花,就可以肯定此電容有充電,也就是說(shuō)此電容沒(méi)壞。電容器與大多數(shù)電子設(shè)備和較大系統(tǒng)(如工廠)的電源電路并聯(lián)連接,以分流并過(guò)濾來(lái)自主電源的電流波動(dòng),為信號(hào)或控制電路提供“干凈”的電源。
就平板電視來(lái)說(shuō),為了能承受大電流,就需要進(jìn)一步降低電容的ESR。其原因是,在數(shù)字 設(shè)備中,隨著功能的增加,電路的電流有越來(lái)越大的趨勢(shì)。
對(duì)于在液晶電視中進(jìn)行MPEG編解1碼工作的圖像處理電路來(lái)說(shuō),2006年一塊芯片中電源電路的電流約為3A。據(jù)調(diào)查,為了應(yīng)對(duì)全H D (全高清)等要求而增大電路的規(guī)模以后,芯片中的電流將增加到8A~9A左右。
如果ESR小,則在有大電流流動(dòng)時(shí),電容輸出電壓的下降量也小。伴隨著電流增大而來(lái)的降低ESR的要求,有可能成為推進(jìn)電容替換進(jìn)程的主要原因。相對(duì)于鋁電解電容將近1Ω的ESR來(lái)說(shuō),多層陶瓷電容的ESR很小,還不到10mΩ。導(dǎo)電性高分子電容的ESR通常為幾十mΩ,ESR比較小的則在10mΩ以下。而某種型號(hào)、同一設(shè)計(jì)的電容器確定后其ESR的變化規(guī)律也基本確定,無(wú)法通過(guò)對(duì)ESR的控制提高紋波電流能力。鋁電解電容也在開發(fā)ESR比較小的產(chǎn)品, 其ESR大約是一般產(chǎn)品的1/2~1/3。