日本減薄機(jī)優(yōu)惠報(bào)價(jià) 北京凱碩

影響減薄機(jī)減薄硅片平整度的因素有哪些?

減薄前將硅片粒結(jié)合在行星齒輪片上的沾片方法是十分重要的。因?yàn)楫?dāng)沾片的方法不合理時(shí)，減薄后的硅片厚度公差將會(huì)隨之增大，所以在沾片前我們要故的首步是將硅片按厚度分好檔，然后把硅片用蠟均勻地沾在行星齒輪片正、反兩面上，需要注意的是同一輪研磨的四塊或五塊行星齒輪片上的硅片厚度-定要均勻，如果硅片不按照厚度去分檔，而任意沾片，想要提高減薄后的硅片厚度公差是相對(duì)比較困難的。

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誠(chéng)薄機(jī)對(duì)晶片誠(chéng)薄的必要性及作用?

根據(jù)制造工藝的要求來(lái)講，目前對(duì)晶片的尺寸、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶結(jié)構(gòu)提出了較高的要求，因此，在制造工藝的過(guò)程中減薄機(jī)對(duì)晶片減薄是相對(duì)不可缺少的一部分。那么，關(guān)于晶片減薄的必要性及作用具體體現(xiàn)哪些方面呢?

1.提高芯片的散熱性能要求

在集成電路中，由于硅基體材料及互聯(lián)金屬層存在電阻，在電流的作用下，芯片要產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象。而在芯片工作的過(guò)程中，由于部分熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量逐漸升高，基體層之間的熱差異性加劇，這無(wú)疑加大了芯片的內(nèi)應(yīng)力。較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片生產(chǎn)，這是芯片損壞的主要原因之一。因此，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片背面進(jìn)行減薄，才可以降低芯片熱阻，有效提高芯片的散熱性能，從而降低了芯片破損的風(fēng)險(xiǎn)，提高了集成電路的可靠性。2.集成電路制造工藝要求

通過(guò)對(duì)晶片減薄工藝后，使其更加有利芯片分離，在一定程度上提高了劃片的質(zhì)量以及成品率。在許多集成電路制造領(lǐng)域內(nèi)，大家對(duì)集成電路芯片超薄化的要求是越來(lái)越高,要想得到高質(zhì)量的超薄芯片，我們就必須通過(guò)晶片減薄工藝的方式從而獲取。

通過(guò)以上兩點(diǎn)可以得出，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片減薄，才能更好的保證芯片的厚度及尺寸等方面的要求，這也足夠充分的體現(xiàn)了晶片減薄工藝的重要性。

硅片減薄機(jī)

主要用途:

非常適合于工件硬度比較高，厚度超薄，且加工精度要求高的產(chǎn)品。如: LED藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃晶片、石英晶片、硅片、諸片、陶瓷片、鎢鋼片等各種材料的快速減薄。

工作原理:

1.本系列橫向研磨機(jī)為精密磨削設(shè)備，由真空主軸吸附工件與金剛石磨輪作相反方向高速磨削，金剛石磨輪前后擺動(dòng)。該方法磨削阻力小、工件不會(huì)破損，而且磨削均勻生產(chǎn)。

點(diǎn):

1.可使工件加工厚度減薄到0. 02m厚而不會(huì)破碎。而且平行度與平面度可控制在 0.002m范圍內(nèi)。

2.減薄; LED藍(lán)寶石襯底每分鐘可減薄48um o硅片每分鐘可減薄250um o

3.系列研磨機(jī)采用CNC程控系統(tǒng),觸摸屏操作面板。