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發布時間:2021-08-02 20:20  
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光刻膠是什么材料
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。
1、光刻膠的技術復雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠。反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照后變成可溶物質的即為正性膠。
2、普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入,可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射,從而改善光刻膠的分辨率性能,但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。
光刻膠的未來市場
光刻膠市場需求逐年增加,2018年全球半導體光刻膠銷售額12.97億美元,而國內光刻膠需求量方面,2011年光刻膠需求量為3.51萬噸,到2017年需求量為7.99萬噸,年復合增長率達14.69%。
國內光刻膠需求量遠大于本土產量,且差額逐年擴大。由于中國大陸光刻膠市場起步晚,目前技術水平相對落后,生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品,TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少。
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光刻膠的主要技術參數
1.靈敏度(Sensitivity)
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所需的曝光劑量越小。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標,影響該指標的因素通常有如下3個方面:
(1) 曝光系統的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。
光刻膠可以分為哪幾類
光刻膠的技術復雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠。反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照后變成可溶物質的即為正性膠。
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